创见资讯(Transcend)领先业界推出最高容量2GB DDR2-533/667 Fully Buffered DIMM(FB-DIMM)内存。本产品特别针对Intel 新世代高阶服务器及计算机系统设计制造而成，此内存最大特色在于速度快及稳定性高。FB-DIMM采用先进平行架构，除了能大幅提升整体效能外，内存容量也突破以往的限制，高度只有1.2英吋，可安装于1U服务器或是任何有高度限制之高阶计算机系统，支持采用Intel新世代高阶服务器芯片组(5000P/V/X)之计算机平台。
FB-DIMM内存可使用于搭配Intel双核心高阶服务器处理器及芯片组之平台，效能比起市面上标准DDR2服务器系统有明显的提升，加上高稳定性及可靠度，FB-DIMM将成为未来高阶服务器的标准配备。创见2GB DDR2-533/667 FB-DIMM内存采用先进FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装制造之128Mx4颗粒，加上严选之散热片，能提供绝佳的散热性能和更好的电气特性，以确保运作质量；本内存采用十层PCB电路板，遵从JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的规范，能适用于严苛的工作环境，减少噪声扰乱，大幅提升系统的整体效能。
创见累积十数年之硬件设计与内存生产经验，采用专业、高质量内存颗粒，透过严格的加工制造程序，在布线路径、走线长度及电气特性设计均遵循极为严格的条件规范，并将噪声的干扰降至最低程度，大大提升整体系统使用上的稳定性，使系统运作更加的顺畅。100%的出厂严格测试，终身质保的优质售后服务，创见是您购买内存的最好选择。
产品特色
· Fully-Buffered DIMM内存模块
· AMB(Advanced Memory Buffer)
· 散热片
· 符合JEDEC标准
· 高稳定性及可靠度
· FBGA封装提供更佳的散热性能和更好的电气特性
· 支援MemBIST(for testing SDRAMS)
· 十层电路板
· 终身质保
订购信息
创见料号 容量 产品描述 备注
TS256MFB72V6K-T 2GB DDR2-667 Fully Buffered DIMM 内存模块，板高1.2英吋
TS256MFB72V5K-T 2GB DDR2-533 Fully Buffered DIMM 内存模块，板高1.2英吋
TS128MFB72V6J-T 1GB DDR2-667 Fully Buffered DIMM 内存模块，板高1.2英吋
TS128MFB72V5J-T 1GB DDR2-533 Fully Buffered DIMM 内存模块，板高1.2英吋
TS64MFB72V6J-T 512MB DDR2-667 Fully Buffered DIMM 内存模块，板高1.2英吋
TS64MFB72V5J-T 512MB DDR2-533 Fully Buffered DIMM 内存模块，板高1.2英吋
（新闻稿 2006-06-20）
