Hynix Semiconductor宣布已经研发出一款512Mbit移动DDR SDRAM,时钟频率185MHz,并支持ECC(错误纠正代码)功能。这款SDRAM设计用于移动设备,采用80nm工艺生产。
Hynix声称这款SDRAM的数据吞吐量达到1.5Gb/s,并支持32位I/O。ECC功能允许延长刷新间隔,从而降低功耗近50%。512Mb ECC mobile DDR还提供了许多传统的低功耗功能,以适应各种移动应用。这些功能包括降低工作电压,温度补偿自刷新(TCSR),局部自刷新(PASR),以及深度休眠模式(DPD)。
Hynix表示,这款SDRAM的量产预计在2007年下半年开始,而样品将在今年Q3早期推出。Hynix还计划将512Mb ECC mobile DDR和NAND闪存组合起来,以多芯片封装(MCP)或层叠(POP)堆栈形式提供。