三星内存
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[新闻图片]三星内存: 重大突破 三星研发全球首款3D内存芯片
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   三星TSV WSP DRAM技术示意图   IBM日前宣布“穿透硅通道”(TSV)技术取得重大突破，很快就能提供商用的堆叠式“3D”处理器芯片；现在，三星率先将这一技术用在了DRAM内存领域，开发出了全球首款堆叠式“3D”内存芯片，内存条的容量也将因此大大增加。   与Intel、IBM的TSV技术类似，三星也是将多块... 		下一张 三星内存 下一张