Kingmax存储卡: 透视Kingmax 存储卡产品的技术构架(图)

   解术一：足之所履——制程技术 

  晶圆的制造是整个电子资讯产业中最上游的部份，晶圆产业的发展优劣，直接影响半导体工业，晶圆的原始材料是硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成高纯度多晶硅，其纯度高达 0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，再经过研磨、抛光、切片后，即成为了集成电路的基本原料----硅晶圆片，即我们所称的晶圆。

   在IC制造过程中，通常被分为前、后工序，晶圆光刻的工艺(即所谓的流片)，被称为前工序，指用光技术在晶圆上刻蚀电路，通常由晶圆厂商来完成此工序，这是IC制造的最要害技术；晶圆流片后,其切割、封装等工序则被称为后工序。而影响单位晶圆容量以至成品存储设备容量的因素中，制程技术首当其冲。所谓制程，代表了做工能达到的精密程度，即IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。也就是说线宽越小，集成度就高，在单位面积的晶圆片上就集成更多的电路单元，从而提高产品的存储容量。

   三星半导体拥有的全球最小的63纳米制程技术，该制程下生产出的4Gbit的晶圆可以拥有更小的体积以便对应未来存储卡高容量设计的需求。而1Byte＝8bit，此次容量达4GB的microSDHC卡正是采用了8颗厚度仅25微米的4G bit晶圆堆叠而成。而随着未来制程技术的发展，50nm（16Gb）、40nm（32Gb）也将渐渐走进我们的视野。有了先进的制程技术作后盾，Kingmax也将会为我们带来更大容量上的突破。

   解术二：肩之所倚——晶圆堆叠 

   生活节奏的日益加快，人们日常处理的信息也越来越多，大容量存储设备的需求无形当中促进了电子技术推陈出新的频率提升。在晶圆扩容技术上的革新，新一代的闪存晶圆堆叠技术应运而生，于是生产大容量微型存储卡（如microSD等）成为可能。采用堆叠技术，可以在一张存储卡上至少放置二个以上的闪存芯片。目前Kingmax已经可以达到8层的堆叠。也就是说，没有堆叠技术的普通卡片最大容量只能达到单个4G bit的标准，即512MB，而采用堆叠技术（目前最多8层）的卡片最大容量可达其八倍，即4GB。

   八层堆叠结构示意图