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三星内存: 2007年三星行动内存论坛在台北召开(图)

作者:第三媒体     来源:www.TheThirdMedia.com     日期:2007-04-04

[摘要]  
   第四届的Samsung Mobile Solution Forum于2007年3月27日在台北的六福皇宫饭店举行,超过140间公司的参与,以及近千位的来宾加入了上下午的技术探讨。
 
[正文]    

   第四届的Samsung Mobile Solution Forum于2007年3月27日在台北的六福皇宫饭店举行,超过140间公司的参与,以及近千位的来宾加入了上下午的技术探讨。

   Samsung展出了与Mobile Technology相关的技术,自OneNAND、OneDRAM、MCP、LSI、Mobile DDI,到Mobile TV之芯片,现场皆有实品展出或是相关讨论。

   在诸多场次之中,与DRAM关系较深的是Memory Solutions of Mobile Platforms,由Memory Division之VP,Mr. Sei-Jin Kim所主讲。

   Mobile RAM solution可分为MDRAM以及UtRAM,而Mobile ROM Solution则分为NOR、 NAND,与PRAM。而此次论坛的重点之一,OneNAND与OneDRAM,当然也是解决方案的一种。

三星内存: 2007年三星行动内存论坛在台北召开(图) 

三星内存: 2007年三星行动内存论坛在台北召开(图) 

三星内存: 2007年三星行动内存论坛在台北召开(图) 

   在Mobile RAM方面,2007年五月可正式推出1Gb的Monolithic Mobile DRAM,2Gb则需要堆栈式封装来处理。而UtRAM之另外一个称呼则是LPDDR2 (Low Power DDR2),其发展的方向如下:

  LPDDR2 (~533MHz)è - High Frequency Operation : LPDDR1 (~200MHz) 
  - Low LPDDR2 (1.35V)èPower Solution : LPDDR1 (1.8V) 
  - Common Bus Interface : LPPDDR - DRAM + LPDDR2 - XIP
   LPDDR2è - Low Pin Count : LPDDR1 (x32:59pin) (x16:36pin)

而此次论坛的重点OneDRAM,其发展的方向如下:
   - A-Port : 1.8V, x16 133MHz (SDR/DDR)
   - B-Port : 1.8V, x16/x32 133MHz (SDR/DDR)
   - Independent operation in A and B port
   - B-Bank for Shared Area
   - Compatible Interface with JEDEC Standard
   - ES Now and CS from Mar. 07

   初期发展,在2007年中将以512Mb为主,1Gb将在2008第一季推出ES,并在2008第三季进入MP阶段。现行即将进入量产的为512Mb,采用双接口(A Port & B Port)结构,整合了SRAM与DRAM.一般手持式装置,例如手机,其通常包含了通用处理器以及特定应用处理器(如图形处理),OneDRA做为两个处理器的共享储存装置,可根据处理器的实际运作来动态分配内存的空间。根据Samsung所公布的数据,OneDRAM的设计可减少30%的耗电量以及50%的封装空间,并可增加五倍的运算效能。

   在行动通讯日渐普及的现代社会中,各式手持式装置的出现,如手机、多媒体播放机、GPS等, 使得人们的生活日趋便利,也使得手持式装置成为消费性电子产品中成长快速的产品。而日趋复杂的功能与整合性的产品,使得手持式装置对于处理器以及内存的要求,也随着功能的复杂度日渐升高。从以往手机中常见的MCP,到今日Samsung所推出的OneDRAM,都是内存厂商为了满足终端产品的需求而诞生的新产品。终端产品的”Fusion”,使得零组件也以整合为发展的方向。


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3楼     Re: 三星内存: 2007年三星行动内存论坛在台北召开(图)
 
  作者:memorytest    2009-12-17 10:47:00
   
2楼     Re: 三星内存: 2007年三星行动内存论坛在台北召开(图)
 
  作者:新品充电伴侣    2007-7-20 20:07:00
   
 
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