海力士内存: 海力士DRR3内存组件模组通过英特尔认证

   据消息报导， 海力士半导体（Hynix Semiconductor）不久前宣布其DRR3内存组件和模组已通过英特尔认证。并且计划从今年第三季度开始使用80纳米工艺量产1Gb DDR3内存，并将在年底转向66纳米工艺。

   据悉，新认证的DDR3产品包括基于80nm工艺的1Gb DDR3 SDRAM组件以及1GB 2GB无缓冲DIMM（Unbuffered-DIMM）。这些产品在1.5V工作电压下的频率为800MHz和1066MHz，800MHz频率对应延时值为5-5-5和6-6-6，1066MHz对应7-7-7，可满足PC、工作站及其他应用的需要。

   另外，除具备更高的数据传输速率，与目前的DDR2相比，海力士的“3D晶体管”架构令芯片的电流泄露最小化，使得电流消耗降低了25%。

（第三媒体 2007-05-08）