三星闪存: 三星电子量产51nm工艺的16Gbit NAND闪存

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	三星闪存: 三星电子量产51nm工艺的16Gbit NAND闪存
	作者：第三媒体来源：www.TheThirdMedia.com 日期：2007-05-09


		[摘要] 据消息报导，韩国三星电子已经开始量产采用51nm工艺的16Gbit NAND闪存。该公司此前已从2007年3月开始量产采用51nm工艺的8Gbit NAND闪存。
		[正文] 据消息报导，韩国三星电子已经开始量产采用51nm工艺的16Gbit NAND闪存。该公司此前已从2007年3月开始量产采用51nm工艺的8Gbit NAND闪存。据悉，51nm产品以4KB为基本单位进行数据处理，与60nm产品相比，可将读取/写入速度提高至约2倍左右，弥补了原有MLC NAND闪存难以实现的高速读取的缺陷。其在生产效率方面，51nm产品较60nm产品可提高60％左右。（第三媒体 2007-05-09）

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