据消息报道,近期三星宣布业内首款基于60nm工艺的2Gb DDR2 DRAM颗粒将在年底投产,随着这种颗粒的诞生,未来三星的整个DDR2芯片产品线都将转入60nm,容量从512Mb到2Gb不等。
60nm工艺的2Gb DDR2 DRAM颗粒同目前主流的80nm工艺2Gb DDR2颗粒相比,60nm 2Gb DDR2在800MHz频率下的性能可以提升20%,而其节电能力将提升40%,目前2Gb DDR2的颗粒可以组成4-Rank 8GB内存模组。
(第三媒体 2007-09-29)
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