据消息报道,韩国三星电子成功开发出了30nm工艺64Gbit NAND型闪存,这是业界目前线间距最小、容量最大的NAND型闪存。它是以2006年采用40nm工艺制造32GGbit NAND型闪存的“CTF”技术为基础,追加三星独创DPT技术“SaDPT(self-aligned DPT)”,以及设计、元件、布局等最尖端半导体技术实现的。
据悉,此次三星通过将电荷保存于绝缘体而非导体上,来最大限度地抑制单元间的信息干扰,突破了50nm工艺极限的大关。
(第三媒体 2007-11-02)
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