美光闪存: 简化设计美光宣布32G容量e-MMC嵌入式闪存

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	美光闪存: 简化设计美光宣布32G容量e-MMC嵌入式闪存
	作者：第三媒体来源：www.TheThirdMedia.com 日期：2008-08-16


		[摘要] 据消息报道：昨天，美光宣布推出新款e-MMC嵌入式闪存设备，容量高达32GB，主要针对汽车行业和工业领域，可以在-40℃到85℃之间正常工作，将在本月底提供新款34nm 32GB e-MMC嵌入式闪存的样品。
		[正文] 据消息报道：昨天，美光宣布推出新款e-MMC嵌入式闪存设备，容量高达32GB，主要针对汽车行业和工业领域，可以在-40℃到85℃之间正常工作，将在本月底提供新款34nm 32GB e-MMC嵌入式闪存的样品。美光e-MMC嵌入式闪存采用153针FBGA封装，核心电压为3.3V，使用了最新的34nm MLC NAND生产技术，满足RoHS等无铅环保标准，美光还特别简化了整体设计，去掉了主存储控制器，以一种简单通用的MMC界面来提供对NAND软件驱动和复杂NAND管理技术的支持。 (第三媒体 2008－08－15)

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