据2月4日国外消息报道，三星公司为扩大在内存芯片市场上的领先优势，计划在今年开始生产40纳米技术DRAM内存芯片。40纳米为400亿分之一米，采用这种技术生产的芯片可集成更多功能、提高容量和性能，同时还可降低单位成本。
据悉，DRAM芯片的生产商正在面临供应过剩、价格下跌和消费者需求疲软等困难。据调查公司iSuppli预计，今年这些公司的投资将下降63%以上。三星在周三发表声明称，已经开发出芯片行业中首个40纳米级DDR2 DRAM芯片和模块，今年将开始采用40纳米技术大量生产2Gb DDR3芯片，并从2010年起将这种新技术应用到廉价的DDR 2芯片中。不过分析师认为，新技术不会立即给三星带来好处。大宇证券的分析师詹姆士·宋（James Song）表示，40纳米技术不大可能在三星今年的产品中占据重要地位，真正的量产要到2010年，因为经济危机依然对高性能芯片的需求有影响。
据三星表示，当40纳米技术应用到2Gb DDR3芯片中时，生产力将比当前使用的50纳米技术提高60%左右。在这方面，三星的竞争对手可能赶不上，因为技术前进需要大量的投入并要解决更大的技术难题。三星的竞争对手当前都在使用50纳米甚至60纳米技术。去年10月日本的Elpida公司表示，可能会冻结量产50纳米芯片的计划。
（第三媒体 2009-02-05）
