据有关消息报道,海力士(Hynix)半导体公司宣布,其已经成功开发出世界首款采用54nm工艺技术制造,适用于便携设备的1Gb Mobile DDR2内存颗粒。公告中宣称,海力士已经克服挑战成功迈入了50nm级工艺,生产出的内存颗粒拥有高频和低功耗的特点。海力士计划在今年下半年开始大规模生产此类产品,以满足高性能移动应用平台日益增加的需求。
1Gb Mobile DDR2内存颗粒最高速度为1066MHz,功耗仅为上一代的mobile DDR的50%或者是标准版DDR2颗粒的30%,是一款环保型设备。符合JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council 电子元件工业联合会)标准,非常适合于下一代移动平台应用。
(第三媒体 2009-04-28)