据有关消息报道，三星电子近期已经开始联合闪存控制器设计合作伙伴，试产35nm工艺NAND闪存。此信号标志着闪存的30nm级工艺竞赛已经开跑。伴随工艺的提升，NAND闪存的主流容量也将升至32Gb。据称，东芝将从7月开始让NAND闪存生产线马力全开，而三星很可能也会同样提高产量。
消息称，东芝增产的原因主要是为了供应苹果的iPhone 3GS手机。东芝的3-bit-per-cell技术MLC闪存可在一个存储单元内保存3bit数据，能够有效提高存储容量，降低成本，对三星的闪存霸主地位产生了威胁。早在今年2月，东芝就宣布了32nm 3-bit-per-cell工艺，预计在今年下半年就可以开始批量生产。
（第三媒体 2009-06-25）
