据有关消息报道，美光计划于年底在其新加坡的12寸晶圆厂量产采用40nm制程工艺的产品。美光认为，在2012转向4F2技术之前，40nm制程工艺结合6F2技术的应用将会使得40nm成为2011年公司的核心处理工艺。随着位于美国麻州Virginia厂的产量率的大幅度攀升，美光还打算在2010年采用50nm制程工艺量产DRAM芯片，尽管有市场分析认为由于厂商加速生产导致DRAM市场将出现供大于求的局面，美光仍就对全球的内存市场持积极态度。
50nm和40nm制程工艺使得美光的整体生产成本降低了50%和80%，使用50纳米制程工艺，预计每生产1000片晶圆，美光的月生产成本约为1200万美元，但使用40纳米制程6F2技术后，同样生产1000片晶圆，月成本只需要400万美元，而转用40纳米制程4F2技术后，月成本可再下降至200万美元。
（第三媒体 2009-08-19）
