据有关消息报道,尔必达宣布其广岛工厂开始量产40nm 2Gb DDR3内存颗粒,新工艺2Gb DDR3颗粒除了支持JEDEC规定的标准1.5V电压外,还支持更低的1.2V和1.35V。尔必达在十月份研发出业界最小的40nm 2Gb DDR3内存颗粒,而仅仅用了两个月时间就实现量产成为尔必达史上的一个里程碑。
和先前的50nm制程工艺相比,每片晶圆的产量提高了44%,1.6Gbps数据传输率下的良率更是达到了100%。尔必达还将于2010年第二季度在旗下的瑞晶工厂生产40nm DRAM芯片,一切顺利的话,华邦、茂德还将在明年为尔必达代工生产DRAM颗粒,以增加尔必达的总体产能。
(第三媒体 2009-12-24)