据有关消息报道，2Gb DDR3内存颗粒已经成功开发出采用42nm铜制程工艺的DRAM制造技术，42nm工艺2Gb DDR3颗粒将于今年第二季开始出货样品，下半年实现量产。该技术是美光和南亚合作推出的，新工艺使用了基于金属铜的制程技术，相比传统的铝制程，铜的延展性和可靠性更好，在更先进工艺中也拥有着成本优势。
据悉，目前正在开发的下一代3xnm工艺仍将继续采用铜制程技术。42nm工艺颗粒容量达到2Gb，可以制造最大16GB内存条，使用该工艺打造的DDR3颗粒额定电压仅为1.35V，低于DDR3标准的1.5V，未来制造出的内存条耗电量有望降低30%。
（第三媒体 2010-02-10）
