东芝公司是实力雄厚的全球第二大NAND闪存芯片制造商，其排名仅次于三星电子。据近日国外消息报道，东芝公司计划今年投入150亿日元（约合1.6亿美元）建设一条测试生产线来生产25纳米以下尺寸闪存芯片。
据介绍，NAND闪存芯片和个人电脑上使用的动态随机存取记忆体（DRAM）芯片不同，NAND闪存芯片在关闭电源后也可以保留数据，因此是手机等便携式电子产品理想的存储设备。东芝公司目前生产的是32和43纳米制程的NAND闪存芯片，而25纳米以下的微芯片具有更小的电路尺寸，它能够让半导体公司在更小的硅晶圆上封装更大的存储容量，达到降低单位生产成本的目标。在日前《日经新闻》表示，东芝已经向ASML订购了芯片制造设备来生产电路尺寸在25纳米以下的微芯片，并称，东芝将很快开始生产20纳米制程以上的NAND芯片，而对于20纳米制程以下的芯片，预计将会在后年投产。
据悉，东芝公司发言人表示，东芝目前正在同荷兰的ASML进行谈判；东芝可能采购最新型的芯片制造设备，该芯片制造设备采用极紫外（EUV）光刻技术在硅晶圆上刻入小尺寸电路。东芝公司计划在2010年下半年生产20至29纳米之间制程的NAND闪存芯片，只不过，目前东芝公司尚未决定新芯片的制程是在25纳米以上还是以下。
(第三媒体 2010－04－05)
