据有关消息报道，日本DRAM大厂尔必达宣布已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒，这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存，预计该颗粒将于今年二季度内在尔必达广岛工厂开始试产，三季度实现量产。
尔必达4Gb DDR3内存颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。尔必达计划将该颗粒使用在单条32GB RDIMM/LR DIMM服务器内存（36颗DDP双层堆叠封装颗粒），或8GB ECC内存（18颗颗粒），或单条8GB的SO-DIMM笔记本内存（16颗颗粒）上，也将向消费电子产品厂商出货单颗DIMM颗粒。
（第三媒体 2010-04-23）
