科技进步的迅速令人无法想象，当30nm工艺才入主流之时，20nm级工艺却已悄然登场。三星电子今天宣布开始量产20nm级（20nm-29nm）工艺产品，成为全球首家，此次量产的产品为20nm级3bpc技术64Gb容量的NAND闪存。
在此之前，今年8月份，Intel美光合资企业已宣布成功研发25nm工艺64Gb 3bpc闪存，预计年底量产。据报道，应用64Gb容量3bpc闪存，可以仅用一颗芯片打造8GB容量U盘或存储卡。三星这款新产品由于采用了Toggle DDR 1.0规范技术，性能相比30nm级SDR产品有了显著提升。另外三星还表示，20nm级64Gb容量3bpc闪存的产出率比30nm级32Gb产品高60%，有助于大幅降低成本。
3bpc闪存又称TLC闪存，每个存储单元（Cell）可保存3bit数据，高于SLC（1bit）及MLC（2bit），存储容量大为增加，将应用于闪存盘、存储卡或其他消费电子设备。因此该产品的量产对USB闪盘和SD卡等产品容量、性能的大幅度提升会起到不小的推动作用。
3bpc/TLC闪存缺点是读写寿命较短，通常不会用于固态硬盘，但SandForce公司已经表示其控制器方案可以控制读写次数，从而使用低成本的3bpc闪存。
（第三媒体 2010-10-14）
