日前,据最新消息报道:日本尔必达宣布研发完成了LPDDR3内存颗粒,该内存颗粒针对下一代移动设备,包括能手机和平板电脑,据称功耗可比上代LPDDR2减少约25%,预计年底试产,明年下半年量产。
据介绍,尔必达新研发的LPDDR3内存颗粒采用FBGA封装,基于30nm CMOS制程,运行电压1.2V,颗粒带宽32bit,最高速度可达1600Mbps(等效DDR3-1600),内存带宽可达6.4GB/s,支持采用PoP(Package on Package)堆叠式封装制造8Gbit或16Gbit颗粒。
(第三媒体 2011-11-25)