日前，东芝推出了最新嵌入式NAND闪存模块，体积仅13×11.5×0.8-1mm，容量首批有16GB(THGBMBG7D2KBAIL)、32GB(THGBMBG8D4KBAIR)，将于11月底投入量产，随后还会有4GB、8GB、64GB、128GB，可用于智能手机、平板机、DV录像机等电子设备。
据介绍，这款最新嵌入式NAND闪存模块基于东芝第二代19nm工艺制造，采用153 Ball FBGA封装，体积比之前减小22％，配备HS-MMC高速接口，单芯片整合独立主控制器、多颗闪存颗粒，16GB、32GB产品在HS400模式下持续读取速度可达270MB/s，比传统产品提速64％，持续写入速度分别为50MB/s、90MB/s，提速幅度也有38％、25％，支持写入区块管理、错误纠正、整合驱动，符合JEDEC组织九月份最新公布的eMMC 5.0标准规范。
（第三媒体 2013－10－31）
