据最新消息报道:三星电子日前宣布开始量产业内首款基于3DTSV封装的64GBDDR4RDIMM内存,全新TSV内存模块高效节能,创新性3DTSV封装技术更是实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连,主要面向企业级服务器、云计算和数据中心。
据介绍,三星新RDIMM内存基于三星最尖端的20纳米级制程技术,采用3D TSV封装技术,由36个DDR4DRAM芯片组成,每片芯片包含4颗4Gb的DDR4DRAM裸片,据称采用全新TSV封装技术的64GB内存模块速度最高提升一倍,能耗降低约一半。一个3DTSVDDR4DRAM封装需将DDR4裸片研磨至厚度仅为数十微米,并打出数百个通孔,有源电路直接穿过这些通孔,裸片之间通过有源电路垂直互连。
据称,三星一直在不断改善3DTSV技术,今年,三星专为TSV封装开始运行了一套新的制造系统,用来量产新型服务器用内存模块。今后,三星有望采用3D TSV技术将DDR4裸片堆叠4层以上,制造出密度更高的内存模块。
(第三媒体 2014-08-29)