据报道:三星宣布开始量产业内最先进8Gb(1GB) DDR4内存颗粒,以及32GB DDR4内存条,面向企业服务器。
据介绍,三星新颗粒与内存均采用最新20n工艺,频率为2400MHz,相比DDR3-1866性能可提升约29%,电压标准1.2V。据称,借助3D TSV硅穿孔技术,新颗粒可制造单条128GB超大容量内存条。
(第三媒体 2014-10-23)
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