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DRAM芯片
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业界前沿
]
海力士内存: 价格半月疯长42%
DRAM芯片
已成天价产品
(2013-09-25)
本月初因江苏无锡的海力士工厂大火,导致该厂一般的DRAM流失,从而导致全球
DRAM芯片
的价格因数量稀少而一路飙升。如今已过半月,高价内存依然没有得到缓解。
[
业界前沿
]
DRAM芯片
: 华亚科技20nm芯片将投产 内存厂商减少中
(2013-09-05)
据台湾某消息人士表示DRAM厂商华亚科技在2013年第四季度开始试产20nm芯片,或许2014年就能够正事投产。内存芯片供应商自从美光科技与尔必达之间合并后就减少为3家了,DRAM价格不久将趋于平稳。
[
业界前沿
]
尔必达芯片: 苹果近期采购 尔必达公司移动
DRAM芯片
(2012-05-16)
据5月15日消息报道,台湾业界消息称,苹果近期对尔必达广岛12英寸晶圆厂下发大量订单, 获得了该工厂50%的移动
DRAM芯片
产能。
[
业界前沿
]
海力士芯片:
DRAM芯片
价格下挫 海力士Q4净亏$2.13亿
(2012-02-03)
全球第二大计算机存储芯片制造商海力士周四发布了该公司2011年第四季度财报。财报显示,受PC市场需求下滑导致内存芯片价格下跌的影响,海力士第四季度的业绩亏损幅度超过了市场预期。
[
业界前沿
]
内存芯片: 地震刺激市场 三星已大量产移动
DRAM芯片
(2011-03-28)
虽然日本9.0级大地震导致全球第二大闪存芯片巨头日本东芝一座工厂停产,但全球最大的内存芯片厂商三星电子日前称,它已经开始大批量生产新型移动DRAM内存芯片,由此看来,地震刺激相关企业积极备货而导致芯片价格上涨的状况,将可能有所缓解。
[
业界前沿
]
三星芯片: 采用30nm级技术 三星生产高性能
DRAM芯片
(2010-07-25)
世界经济回暖,促进了PC市场的生产发展,内存芯片市场也显示了恢复增长,而三星电子新的用于PC的内存芯片,能够以每秒钟2,133MB的速度处理数据,比其它产品的速度快16倍,而使用30纳米级加工技术生产新的2GB DDR3 DRAM内存芯片,将比50纳米或者60纳米生产同样的芯片减少约一半的成本,必然会受到市场的重视。
[
数码市场调查
]
芯片市场: 三星计划提高报价 削减
DRAM芯片
产量
(2009-01-03)
据1月2日国外消息报道,由于三星电子减少了供应量,12月后半月部分型号NAND闪存芯片合同价出现了大涨上涨。据业内消息人士称,目前
DRAM芯片
厂商寄希望于减少供应量,而非终端市场上需求的增长推动价格的上涨;并希望1Gb DDR2芯片的价格能够反弹至1美元。三星电子计划提高
DRAM芯片
报价,并减少供应量。
[
业界前沿
]
芯片市场: 三星将拖跨竞争对手 提高
DRAM芯片
产量
(2008-05-05)
据5月5日国外消息报道,市场调研厂商iSuppli称,当竞争对手因市场疲软和美国经济放缓而降低产量之际,三星却提高了产量;三星在今年第一季度,巩固了其全球
DRAM芯片
市场龙头的地位。
[
业界前沿
]
DRAM芯片
: DRAM价格降50%!大厂毛利率仍超过30%
(2007-03-31)
回顾2007年第一季DRAM现货市场价格走势,用惨不忍睹形容也不夸张,整体平均现货报价至今整整下跌逾50%,不过,这样的跌幅对于台系DRAM厂而言,虽说也会有痛的感觉,然由于本身功力已相当深厚,因此就算下跌幅度如此剧烈,但多数台系DRAM厂第一季毛利率应仍可维持在30%以上。
[
业界前沿
]
三星内存: 三星已开发业内首款50nm DDR2
DRAM芯片
(2006-10-20)
三星刚刚宣布开发完成业内首款50nm DDR2
DRAM芯片
。
[
业界前沿
]
三星芯片: 三星控制主要
DRAM芯片
,将提价10%(图)
(2006-01-10)
据报道,三星电子属于全球最大的计算机储存芯片制造商,公司将从今年一月开始提高DRAM储存芯片的合同价格,预期提高价格幅度为10%。
[
业界前沿
]
三星电子: 三星推进闪存和
DRAM芯片
产能 投资6.14亿
(2005-11-22)
三星电子今天表示,将投资6.142亿增加新的产品线,推进闪存及
DRAM芯片
产能。三星希望其芯片销售到2012能够有三倍的增长,从去年的$170亿达到$610亿;并希望在我国国内的市场销售额能有三倍的增长,在未来5年的年度增长率达到11%;到2010年达到$55亿美元。
[
厂商动态
]
英飞凌
DRAM芯片
: 英飞凌在DRAM沟槽技术中取得重大突破
(2004-12-17)
2004年12月14日德国慕尼黑讯——英飞凌科技公司(FSENYSE:IFX)在2004年IEEE(电子和电气工程师学会 2004年12月13~15日于美国旧金山举行)国际电子器件会议(IEDM)上,展示了该公司具有高生产性的、适合未来DRAM产品的70 nm工艺技术,此技术以在300 mm晶圆上的深沟(DT)单元为基础。
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