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DRAM
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条记录:
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业界前沿
]
Hynix: WTO裁决被推翻,Hynix
DRAM
进入美国将支付惩罚性关税(图)
(2005-06-30)
世界贸易组织(WTO)申诉机构已经宣布废除WTO早期的一项裁决。并声称美国不能证明几年前存储器制造商韩国现代公司收受非法补贴。WTO没有给现代任何机会提出上诉,因此只要它向美国出口
DRAM
,都不得不支付惩罚性关税。
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业界前沿
]
内存:
DRAM
厂纷纷减产,内存7月可能上涨10%(图)
(2005-06-28)
昨天,
DRAM
部门的消息人士透露,鉴于公司在闪存生产上将投入更多的精力,下个月初Samsung对
DRAM
的供应将增加限额,但是国际OEM PC制造商仍拥有最高的优先权。
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业界前沿
]
RAMBUS内存: RAMBUS发布
DRAM
微线程,有效内存带宽提高2-4倍
(2005-04-08)
RAMBUS在公布有关
DRAM
微线程技术时表示,该技术的引入可将
DRAM
存储器带宽提高至目前二到四倍。
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业界前沿
]
XDR
DRAM
: 带宽可达8GB/s!XDR存储器前景看好
(2005-04-01)
Samsung开始大批量生产基于256Mb XDR存储器的XDIMM模块。Samsung的256Mb XDR
DRAM
在结合了Rambus的Octal Data Rate process技术后,具备每时钟周期传送8 bit的能力,进而使XDIMM的每个模块的传输速度狂升到8GB/s
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厂商动态
]
南亚内存: 今年
DRAM
出货量将成长一倍
(2005-03-03)
南亚科技总经理连日昌日昨表示,转投资十二寸
DRAM
厂华亚科技已经以九○奈米沟槽式制程(Trench)成功试产五一二Mb DDR2产品,是全台第一家以奈米技术成功投产的
DRAM
厂。而南亚科今年在华亚科的产能挹注下,
DRAM
产出量将较去年成长一倍,所以二○○五年是南亚科快速成长的开始。
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厂商动态
]
英飞凌
DRAM
芯片: 英飞凌在
DRAM
沟槽技术中取得重大突破
(2004-12-17)
2004年12月14日德国慕尼黑讯——英飞凌科技公司(FSENYSE:IFX)在2004年IEEE(电子和电气工程师学会 2004年12月13~15日于美国旧金山举行)国际电子器件会议(IEDM)上,展示了该公司具有高生产性的、适合未来
DRAM
产品的70 nm工艺技术,此技术以在300 mm晶圆上的深沟(DT)单元为基础。
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业界前沿
]
英飞凌科技: 做好准备,走进DDR2时代 Infineon以领先技术推动DDR2成为
DRAM
市场主流
(2004-04-15)
在北京举办的英特尔信息技术峰会上,全球领先的存储解决方案供应商之一,英飞凌科技向中国用户推广DDR2理念。利用该峰会的平台,英飞凌向业内人士展示了领先的技术和解决方案,并宣布其在2004年利用成熟而稳定的技术,以有效的成本向DDR2标准演进的计划。
DRAM
市场在未来12个月内逐渐向DDR2演进
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厂商动态
]
矽统芯片组: 最具
DRAM
使用弹性的双通道主流芯片组,SiS655FX独占鳌头, 获得客户高度肯定(图)
(2003-10-14)
(新闻稿 矽统科技提供)核心逻辑芯片组领导厂商矽统科技(SiS)宣布其推出的最具
DRAM
使用弹性并支持800MHz FSB的双通道芯片组--SiS655FX获得客户高度肯定,并开发出多款性能出众的双通道主板产品,将...
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硬件学堂
]
解剖Rambus
DRAM
内存(10)
(2000-03-31)
在前两讲我们了解到,无论是商业应用测试,还是D3D、OpenGL测试,R
DRAM
都惨遭败绩,也许有人将R
DRAM
的希望寄托在下一代处理器上。 12、期待,Willamette将更好发挥R
DRAM
性能? 在最近的IDF(Intel...
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硬件学堂
]
解剖Rambus
DRAM
内存(9)
(2000-03-31)
前一讲我们谈到,在SYSMARK2000测试下,PC133 S
DRAM
+ BX440系统的得分甚至超过了Intel昂贵的、引以为豪的工作站产品I840+R
DRAM
。这一讲我们将就大家关心的3D性能对S
DRAM
与R
DRAM
进行比较测试,包括D3D与Ope...
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硬件学堂
]
解剖Rambus
DRAM
内存(11)
(2000-03-31)
在以前的各讲中,我们谈到R
DRAM
平平的性能、昂贵的成本、出奇的售价、黯淡不清的将来,虽然现在它仿佛非常辉煌。这一讲,我们将对R
DRAM
作一个总结。 13、最后的总结 Rumbus R
DRAM
软弱的性能对Intel...
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硬件学堂
]
解剖Rambus
DRAM
内存(3)
(2000-03-24)
上一讲我们谈到R
DRAM
虽然外频高,但是可怜的总线宽度则制约了它的性能。同时,现有的133M外频PIII系统由于远远不能为R
DRAM
提供足够的外频,因此严重损伤了R
DRAM
性能,这导致R
DRAM
在现有PC系统中几乎不能发挥多大...
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硬件学堂
]
解剖Rambus
DRAM
内存(4)
(2000-03-24)
前一讲我们提到,R
DRAM
具有比S
DRAM
高得多的延迟,这严重削弱了R
DRAM
的性能。这一讲我们将讨论R
DRAM
的发热问题。 6、哎哟,烫人的R
DRAM
R
DRAM
最大的实力之一就是它的高工作频率了,但是这也同时产生...
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市场调查
]
韩大厂
DRAM
库存下降,内存价格走势企待关注
(2000-03-24)
可能朋友们都注意到了这两天中关村内存的全线上涨,内存价格在一次成为市场焦点。本次内存价格的上扬也有些出乎商家的意料,炒“台湾地震概念”只涨了一天;台独党上台两岸剑拔弩张,进货不畅,内存市场也只用小...
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硬件学堂
]
解剖Rambus
DRAM
内存(5)
(2000-03-24)
在前一讲,我们提到R
DRAM
的巨大发热量的问题,其实这个问题的根源也正好就是R
DRAM
的优势——高工作频率!也就是说,R
DRAM
的高工作频率既是R
DRAM
高性能的创造者,也是R
DRAM
高发热量的罪魁祸首...
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