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[新闻图片]Hynix内存: 采用80nm Hynix推512Mb ECC移动DDR芯片
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上一张 | [简介] Hynix Semiconductor宣布已经研发出一款512Mbit移动DDR SDRAM，时钟频率185MHz，并支持ECC（错误纠正代码）功能。这款SDRAM设计用于移动设备，采用80nm工艺生产。 Hynix声称这款SDRAM的数据吞吐量达到1.5Gb/s，并支持32位I/O。ECC功能允许延长刷新间... |
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[新闻图片]Hynix内存: 采用80nm Hynix推512Mb ECC移动DDR芯片 |
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