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[新闻图片]三星闪存: 容量达8GB 三星研发出30nm工艺闪存芯片
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上一张 | [简介] 据消息报道，三星电子近日研发成功了全球首款8GB容量的MCL NAND闪存芯片，并开创性地使用了30nm工艺。不过在欣喜之余，三星又表示这种创新性的芯片要到2009年才会投产，届时大容量的存储卡将成为现实。 据悉，为了将生产工艺改进到30nm，三星应用了新的“自对准双曝光技术”(SaDPT)，融自对准技术和... |
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[新闻图片]三星闪存: 容量达8GB 三星研发出30nm工艺闪存芯片 |
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