三星闪存: 容量达8GB 三星研发出30nm工艺闪存芯片

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	三星闪存: 容量达8GB 三星研发出30nm工艺闪存芯片
	作者：第三媒体来源：www.TheThirdMedia.com 日期：2007-10-24


		[摘要] 三星电子近日研发成功了全球首款8GB容量的MCL NAND闪存芯片，并开创性地使用了30nm工艺。不过在欣喜之余，三星又表示这种创新性的芯片要到2009年才会投产，届时大容量的存储卡将成为现实。
		[正文] 　据消息报道，三星电子近日研发成功了全球首款8GB容量的MCL NAND闪存芯片，并开创性地使用了30nm工艺。不过在欣喜之余，三星又表示这种创新性的芯片要到2009年才会投产，届时大容量的存储卡将成为现实。据悉，为了将生产工艺改进到30nm，三星应用了新的“自对准双曝光技术”(SaDPT)，融自对准技术和193nm波长光源ArF两次曝光技术于一身。（第三媒体 2007-10-24）

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