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[新闻图片]三星闪存: 容量升至32Gb 三星试产35nm工艺NAND闪存
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上一张 | [简介] 据有关消息报道，三星电子近期已经开始联合闪存控制器设计合作伙伴，试产35nm工艺NAND闪存。此信号标志着闪存的30nm级工艺竞赛已经开跑。伴随工艺的提升，NAND闪存的主流容量也将升至32Gb。据称，东芝将从7月开始让NAND闪存生产线马力全开，而三星很可能也会同样提高产量。 消息称，东芝增产的原因... |
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[新闻图片]三星闪存: 容量升至32Gb 三星试产35nm工艺NAND闪存 |
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