据有关消息报道,海力士宣布了2Gb低压DDR2 DRAM内存芯片,主要针对智能手机、平板机和智能本市场。海力士计划在上半年开始量产该内存芯片,以满足市场对高密度移动DRAM颗粒的需求。
海力士2Gb低压DDR2 DRAM内存芯片采用40nm制程工艺,电压仅为1.2V,频率1066MHz,带宽4.26GB/s,采用POP层叠堆装和MCP多芯片的封装方式,功耗相比先前推出内存颗粒降低50%,符合JEDEC标准规范。
(第三媒体 2010-01-15)
相关文章
更多检索
其他内存
系列