据有关消息报道，作为业界内存芯片市场老大，三星已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代产品降低35％。
三星计划将该工艺的生产比例逐渐提高到90％以上，由于单颗芯片容量翻番，4Gb DDR3芯片的量产也能大大推动单条32GB内存条的普及。目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条，总容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，内存子系统功耗可达210W，换成40nm 2Gb DDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm 4Gb DDR3会进一步降至仅仅36W，也就是节能83％之多。
（第三媒体 2010-02-25）
