据最新消息报道：今天，三星电子宣布开始量产全球最先进DDR3内存颗粒，采用新20nm工艺，容量为4Gb(512MB)，生产效率比25nm DDR3高出超过30％，同等容量的功耗比25nm DDR3节省最多25％，生产效率更是3xnm DDR3的两倍多。
据介绍，DRAM内存颗粒每个单元都包含一个电容、一个晶体管，用于连接其它单元，工艺进步比NAND闪存单元更困难。为了改进工艺，三星重新调整设计和制造技术，用了改进的双重曝光、原子层沉积(ALD)，并同时结合已有的沉浸式ArF光刻等先进技术。全球最先进DDR3内存颗粒的量产为今后1xnm的进步打下了扎实的基础。
（第三媒体 2014－03－11）
